1986年，MO源作为前驱体核心材料纳入国家高技术发展计划。
2000年，南大光电成立，MO源成功实现产业化，成功打破“巴统”和国外公司的技术垄断，并在“神舟”飞船、“东4”大卫星平台系列卫星等航天器的太阳能电池上成功得到运用。
2016 年，承接国家“02-专项”，现已建成具备合成、纯化、分析、封装等功能的ALD前驱体研发中心和生产线，完全满足相关芯片产品的制造要求。
2017年11月，引入陶氏化学的高K三甲基铝生产线，2020年10月正式投产，在开发高端半导体的进程中，扮演关键材料供应商的重要市场角色。 2020年12月，跨国并购杜邦集团19项专利资产组，6项技术属于全球首创技术，一举迈入国际领先的前驱体材料企业行列。
2013年，获得国家“02-专项”高纯特种电子气体研发与产业化项目支持。
2016年，经过3年的技术开发，成功实现了国内30年未能解决的高纯砷烷、磷烷等特种电子气体的研发和产业化难题，一举打破了国外技术封锁和垄断，为我国极大规模集成电路制造提供了核心原材料。
目前，砷烷品质己达到7N，技术居全球前列，产能跃居全球第一，并进入国际一流公司供应链。磷烷的技术水平也已居全球前列，产能为全球第二。
2019年8月，南大光电成功并购飞源气体，开始布局氟系列电子特气。依托南大光电客户、机制和技术优势，进行60多项技术创新，迅速提升产能、品质，降低成本，二年实现三氟化氮产能4000吨、六氟化硫产能3000吨，成本全球领先，产能国内第二、全球第三。
一是扩展现有高纯磷烷、高纯砷烷氢类电子特气，进军氟系、硅系和硼系特种气体；
二是持续开发先进纯化工艺、先进吸附剂及负压安全吸附技术以及特种气体废气处理材料，提升电子特气产品纯度，尤其7N级别高纯磷烷砷烷、5N级别BF3等高端领域的应用；
三是 “123”新奋斗目标：在内蒙古打造一个世界级的氟硅电子材料基地，实现“绿色能源+绿色制造”，以“双绿”跻身世界；培养三个世界单项冠军。
2017年，公司承接国家“02-专项”高分辨率光刻胶产品关键技术的研究项目，达到光刻胶基础配方分辨率相关技术节点要求和项目原定的技术指标要求，得到了“02-专项”项目验收专家组的高度认可。
2018年，02重大专项实施管理办公室决定由我司承担193nm浸没式光刻胶产品开发和产业化项目，向我国真正拥有ArF光刻胶产品的方向继续迈进。
2019年底，公司在宁波市北仑区完成了第一条光刻胶生产线建设，产能达到10吨/年的规模， 第二条光刻胶生产线于2020年完成建设，总产能达到25吨/年。同时在国家重大科技攻关项目的支持下，向光刻胶配套原材料领域展开技术攻关。
2020年4月，成为中国首个购买ASML 193nm浸没式光刻机的电子材料企业。
2020年底和2021年5月，193nm ArF光刻胶先后通过存储和逻辑两家芯片制造企业的验证，为量产打下了坚实基础，成为国内首个通过验证的ArF光刻胶产品，ArF光刻胶研发和产业化取得关键性突破，被列为国家攻克“卡脖子”工程的标杆。
2021年建党100周年前夕，顺利通过国家“02-专项”验收。
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